雖然大多數SiC晶須與基體合金具有光滑的界面結構，但有少數SiC晶須發生了表面形貌變化?？梢奡iC晶須表面出現了鋸齒或臺階狀結構，且相鄰的臺階表面構成70.5b或109.5b夾角。通過對SiC晶須的高分辨圖像及電子衍射花樣分析發現，臺階表面平行于SiC晶須的{111}晶面。由于采用的B-SiC晶須具有面心立方晶體結構，因此可利用立方晶體結構的晶面夾角公式計算出B-SiC晶須{111}晶面夾角為70.52b或109.5b，與前面觀察到的SiC晶須表面臺階間的夾角正好相符。由此可見，SiCw/MgLi11Al1復合材料的SiC晶須表面相鄰臺階間的夾角正是B-SiC晶須{111}晶面間的夾角。B-SiC晶須以{111}晶面與基體合金相結合的原因是由于B-SiC晶須具有面心立方晶體結構，{111}面為其原子密排面，具有低的表面能，以{111}晶面與基體合金結合可使系統的能量低。
　　在SiCw/MgLi11Al1復合材料的制備過程中，SiC晶須在高溫基體合金的作用下，為了降低與基體合金間的界面能，與{111}晶面成一定角度的其它晶面因表面能較高而發生溶解，而以{111}晶面與基體合金相結合，因此在SiC晶須表面出現了70.5b或109.5b臺階。然而，實驗還發現SiCw/MgLi11Al1復合材料界面的臺階狀結構往往出現在SiC晶須的層錯面上。這可能是由于SiC晶須的層錯具有較高的能量，而鋰有很高的擴散性，可沿層錯面擴散到SiC晶須中，降低系統的能量，從而使具有層錯的SiC晶須表面出現臺階狀結構的幾率增加，而完整的SiC晶須表面出現臺階狀結構的幾率較小，具有光滑的界面結構。
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